Поддерживать
www.wikidata.ru-ru.nina.az
Mikroelektronika podrazdel elektroniki svyazannyj s izucheniem i proizvodstvom elektronnyh komponentov s geometricheskimi razmerami harakternyh elementov poryadka neskolkih mikrometrov i menshe Kremnievye plastiny s gotovymi mikroshemami pered razrezaniem na otdelnye kristallyObshie svedeniyaTakie ustrojstva obychno proizvodyat iz poluprovodnikov i poluprovodnikovyh soedinenij ispolzuya fotolitografiyu i legirovanie Bolshinstvo komponentov obychnoj elektroniki rezistory kondensatory katushki induktivnosti diody tranzistory izolyatory i provodnik takzhe primenyayutsya i v mikroelektronike no uzhe v vide miniatyurnyh ustrojstv v integralnom ispolnenii Cifrovye integralnye mikroshemy po bolshej chasti sostoyat iz tranzistorov Analogovye integralnye shemy takzhe soderzhat rezistory i kondensatory Katushki induktivnosti ispolzuyutsya v shemah rabotayushih na vysokih chastotah S razvitiem tehniki razmery komponentov postoyanno umenshayutsya Pri ochen bolshoj stepeni integracii komponentov a sledovatelno pri ochen malyh razmerah kazhdogo komponenta ochen vazhna problema mezhelementnogo vzaimodejstviya parazitnye yavleniya Odna iz osnovnyh zadach proektirovshika kompensirovat ili minimizirovat effekt parazitnyh utechek Razlichayut takie napravleniya mikroelektroniki kak integralnaya i funkcionalnaya Osobuyu vazhnost imeet SVCh mikroelektronika kotoraya zanimaetsya izucheniem i razrabotkoj SVCh mikroshem Kak pravilo v takih shemah primenyayutsya kak geteroperehodnye tak i kremnievye chipy kotorye ustanavlivayutsya na dielektricheskih podlozhkah s plyonochnoj passivnoj infrastrukturoj kondensatorami rezistorami i t p V silovoj SVCh elektroniki aktivno ispolzuyutsya tolstoplyonochnye tehnologii na osnove metoda shelkografii Istoricheskie remarkiPrimerno na rubezhe konca 1940 h nachala 1950 h godov sozdateli i postavshiki radioelektronnogo oborudovaniya vydelili sleduyushie prioritety sovershenstvovaniya svoej produkcii obedinenie raznotipnyh nezavisimyh elementov v unificirovannye moduli ponizhenie ih sebestoimosti povyshenie nadyozhnosti obespechenie massovosti vypuska i avtomaticheskogo montazha pri proizvodstve radioelektronnoj apparatury Inymi slovami byla osoznana neobhodimost v tom chto v budushem dolzhno bylo stat sovremennoj mikroelektronikoj Schitaetsya chto formalno eyo istoriya nachalas v 1958 godu s izobreteniya Dzhekom Kilbi integralnoj shemy V nachale 1960 h kompanii Texas Instruments i Westinghouse nachali predlagat integralnye operacionnye usiliteli a v 1962 godu v laboratorii korporacii RCA byla sozdana pervaya mikroshema na osnove MOP struktur Postoyannyj rost slozhnosti mikroshem privyol v 1965 godu k formulirovke zakona Mura kotoryj glasil chto chislo tranzistorov sostavlyayushih shemu dolzhno udvaivatsya s postoyannym vremennym shagom V pervoe desyatiletie razvitiya mikroelektroniki s 1960 po 1970 god etot shag byl raven primerno odnomu godu zatem on neskolko uvelichilsya do polutora dvuh let V rezultate eksponencialnogo rosta kolichestvo tranzistorov na odnoj mikrosheme k 2010 godu dostiglo odnogo milliarda razmer kremnievoj podlozhki vozros s 75 mm v 1960 do 300 mm v 2001 godu bystrodejstvie shem uvelichilos na chetyre poryadka a energopotreblenie na odno pereklyuchenie odnogo logicheskogo elementa snizilos bolee chem v million raz V kachestve osnovy dlya proizvodstva mikroshem pomimo kremniya nachali primenyatsya drugie elementy naprimer na osnove soedinenij gruppy AIIIVV Nauchnoe pervenstvo v etom napravlenii prinadlezhit rossijskomu fiziku Zhoresu Alfyorovu kotoryj sovmestno s Gerbertom Kryomerom i Dzhekom Kilbi v 2000 godu poluchil Nobelevskuyu premiyu po fizike za razrabotku poluprovodnikovyh geterostruktur i sozdanie bystrodejstvuyushih opto i mikroelektronnyh komponentov V nastoyashee vremya issledovatelskoj rabotoj v oblasti rossijskoj mikroelektroniki zanimaetsya ryad nauchno tehnicheskih kollektivov i uchrezhdenij Rossijskoj Akademii nauk naprimer Institut fiziki poluprovodnikov Fiziko tehnologicheskij institut Fiziko tehnicheskij institut imeni A F Ioffe Institut fiziki mikrostruktur Institut radiotehniki i elektroniki V 2008 godu v Rossii nachalis investicii v novye proizvodstvennye tehnologii mikroelektronnyh shem s minimalnymi razmerami 180 130 nm a v 2010 godu minimalnyj razmer snizilsya do 90 nm Tem ne menee 18 fevralya 2019 goda premer ministr Rossii Dmitrij Medvedev otmetil chto otechestvennaya mikroelektronika serezno otstaet i zavisit ot zarubezhnyh postavshikov V svyazi s etim on poobeshal otrasli dopolnitelnuyu podderzhku podcherknuv osobuyu vazhnost etogo voprosa v svyazi s tem chto on v znachitelnoj stepeni svyazan s bezopasnostyu strany 10 dekabrya 2019 goda vice premer pravitelstva RF Yurij Borisov zayavil chto v Rossii otsutstvuet sobstvennaya promyshlennaya baza dlya serijnogo proizvodstva mikroelektroniki V yanvare 2020 g pravitelstvo RF utverdilo Strategiyu razvitiya elektronnoj promyshlennosti Rossijskoj Federacii na period do 2030 goda Namechaetsya chto k 2030 godu obshij obem proizvodstva sostavit ne menee 5 2 trln rublej dolya elektroniki grazhdanskogo naznacheniya v obshem obyome proizvodstva sostavit ne menee 87 9 dolya otechestvennoj elektroniki na vnutrennem rynke sostavit ne menee 59 1 na eksport budet postavlyatsya elektronika stoimostyu ne menee 12020 mln dollarov SShA Sm takzheBesfabrichnaya kompaniya Poluprovodnik Poluprovodnikovye materialy Poluprovodnikovye pribory Planarnaya tehnologiya Tehnologicheskij process v elektronnoj promyshlennosti MikrotehnologiyaPrimechaniyaMikroelektronika Bolshoj enciklopedicheskij politehnicheskij slovar rus 2004 Efimov I E Kozyr I Ya Gorbunov Yu I Mikroelektronika Proektirovanie vidy mikroshem funkcionalnaya mikroelektronika 2 e izd M Vysshaya shkola 1987 S 9 10 60 000 ekz Mikroelektronika 8 iyulya 2022 A A Orlikovskij Meotskaya arheologicheskaya kultura Mongolo tatarskoe nashestvie M Bolshaya rossijskaya enciklopediya 2012 S 285 288 Bolshaya rossijskaya enciklopediya v 35 t gl red Yu S Osipov 2004 2017 t 20 ISBN 978 5 85270 354 5 Yu Nosov O rozhdenii mikroelektroniki Velichajshaya nauchno tehnicheskaya revolyuciya i sovremennost rus Elektronika Nauka tehnologiya biznes zhurnal 2015 T 144 4 S 118 128 ISSN 1992 4178 13 yanvarya 2020 goda The micro breakthrough An Encyclopaedia of the history of technology angl Ian McNeil London Routledge 1990 P 705 ISBN 0 203 19214 1 Otechestvennaya mikroelektronika poluchit podderzhku pravitelstva rus Ekonomika i Zhizn Data obrasheniya 19 fevralya 2019 20 fevralya 2019 goda Pravitelstvo konstatirovalo otsutstvie v Rossii sobstvennogo proizvodstva elektroniki neopr Data obrasheniya 11 dekabrya 2019 11 dekabrya 2019 goda Utverzhdena Strategiya razvitiya elektronnoj promyshlennosti Rossijskoj Federacii na period do 2030 goda neopr Data obrasheniya 10 aprelya 2021 10 aprelya 2021 goda Pravitelstvo RF Rasporyazhenie ot 17 yanvarya 2020 g 20 r neopr Data obrasheniya 10 aprelya 2021 7 sentyabrya 2021 goda Alesandr Mehanik Nash put novaya industrializaciya Ekspert 2021 15 S 46 51LiteraturaAvaev N A Naumov Yu E Frolkin V T Osnovy mikroelektroniki M Radio i svyaz 1991 288 s 70 000 ekz ISBN 5 256 00692 4 Buzaneva E V Mikrostruktury integralnoj elektroniki M Radio i svyaz 1990 304 s 5400 ekz ISBN 5 256 00419 0 Volkov V M Ivanko A A Lapij V Yu Mikroelektronika K Tehnika 1983 258 s 20 000 ekz Efimov I E Kozyr I Ya Gorbunov Yu I Mikroelektronika Fizicheskie i tehnologicheskie osnovy nadezhnost M Vysshaya shkola 1986 464 s Kolesov L N Vvedenie v inzhenernuyu mikroelektroniku M Sovetskoe radio 1974 280 s 20 000 ekz Shuka A A Elektronika SPb BHV Peterburg 2008 752 s ISBN 978 5 9775 0160 6 V drugom yazykovom razdele est bolee polnaya statya Mikroelektronik nem Vy mozhete pomoch proektu rasshiriv tekushuyu statyu s pomoshyu perevoda
Вершина