У этого термина существуют и другие значения см Рекомбинация Рекомбинация исчезновение пары свободных носителей противоп

Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда (электрона и дырки) в среде с выделением энергии.

В (полупроводниках) возможны следующие варианты рекомбинации:

межзонная — непосредственный переход электронов из (зоны проводимости) в валентную зону (в последней имеются дырки), существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством (дефектов);
через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках;
на поверхностных состояниях (поверхностная рекомбинации); проявляется в образцах специальной геометрии с больши́м значением поверхности на единицу объёма.

При рекомбинации носителей выделяется энергия, передаваемая частицам или (квазичастицам). В зависимости от типа таких частиц-«приёмников энергии» выделяются:

— энергия уносится фотонами;
— энергия передается (фононам) или другим частицам ((оже-рекомбинация)).

Процесс обратный рекомбинации называется генерацией; она состоит в возбуждении электрона из валентной зоны (где формируется дырка) в зону проводимости при нагреве, освещении образца или ударе кристаллической решётки уже наличествующим свободным электроном с достаточной энергией.

Ссылки

Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках - Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.
§ 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»
/ В. А. Гуртов, Р. Н. Осауленко. Физика твердого тела для инженеров, 2007
2.8. Carrier recombination and generation / Bart Van Zeghbroeck, "Principles of Semiconductor Devices". August 2007 (англ.)
Lecture 4 - Carrier generation and recombination / Jesús del Alamo, course materials for 6.720J Integrated Microelectronic Devices, Spring 2007. MIT OpenCourseWare (англ.)