Энергонезависимая память

Энергонезависимая память (англ. Non-Volatile Random-Access Memory; NVRAM) — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля (SRAM), соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае (SRAM) может действовать в связке с (EEPROM), например, флеш-памятью.

В более общем смысле, энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения или способа активации памяти, к примеру: радиочастотная идентификация (технология (RFID)). Однако подпадающие под это определение носители информации, ПЗУ, (ППЗУ), устройства с подвижным носителем информации (диски, ленты) и другие носят свои, более точные названия. Поэтому термин «энергонезависимая память» чаще всего употребляется более узко, по отношению к полупроводниковой БИС запоминающего устройства, которая обычно выполняется энергозависимой, и содержимое которой при выключении обычно пропадает.

Микросхема КМОП (содержит BIOS и настройки) на материнской плате компьютера, подпитываемая литиевой батарейкой

Условно энергонезависимой памятью можно считать энергозависимую память, имеющую внешнее питание, например от батареи или аккумулятора. Например, часы на системной плате персонального компьютера и небольшая (память для хранения настроек BIOS) питаются от компактной батарейки, закреплённой на плате. Современные (RAID)-контроллеры могут оснащаться аккумулятором, который сохраняет данные в DRAM-памяти, используемой в качестве буфера.

В начале 2010-х годов наиболее широко распространённой энергонезависимой памятью большого объёма являлась флеш-память NAND ((Charge Trap Flash)).

Исследуется множество альтернативных технологий энергонезависимой памяти, некоторые из которых могли бы заменить флеш-память после её приближения к физическим пределам масштабирования, например: FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM и ряд других

См. также

• Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ, англ. ROM — Read-Only Memory) — энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных.

Примечания

1. Frank Vahid and Tony Givargis. Chapter 5: Memories // Embedded System Design: A Unified Hardware/software Introduction. — Wiley India Pvt. Limited, 2006. — 348 p. — .
2. Sung Hoon Baek. Transparent Fast Resynchronization for Consumer RAID Digest of Technical Papers // IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE). — 2013. — С. 298—299. — . — ISSN 2158-3994. — doi:10.1109/ICCE.2013.6486902.: «High-end RAID systems utilize uninterruptible power supply (UPS) or battery-backed RAM to achieve both reliability and performance…high-end RAID system that uses UPS or battery- backed RAM to protect buffered data.»
3. Shimin Chen.  (англ.). — «NVRAM (i.e., battery-backed RAM) as non-volatile write buffers.» Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано из оригинала 4 марта 2016 года.
4. Kim, Kinam; Koh, Gwan-Hyeob. Future Memory Technology including Emerging New Memories (англ.). — Serbia and Montenegro: Proceedings of the 24th International Conference on Microelectronics, 2004. — P. 377—384.
5. Tom Coughlin; Ed Grochowski.: Thanks for the Memories: Emerging Non-Volatile Memory Technologies (англ.). Coughlin Associates; SNIA 2014 Storage Developer Conference (15 сентября 2014). Дата обращения: 9 января 2015. 13 января 2015 года.
6. Overview of emerging nonvolatile memory technologies от 16 мая 2022 на Wayback Machine // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526

Литература

• Аппаратные средства IBM PC. Энциклопедия, 2-е изд. / М. Гук, — СПб.: Питер, 2003. — 923 с.:ил.,